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IPB035N08N3 G Image
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IPB035N08N3 G

工場モデル IPB035N08N3 G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
パッケージ
株式 63303 pcs
データシート IPx035N08N3 G
提案された価格 （米ドルでの測定）
1000 2000
$0.556 $0.518
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。63303のInfineon Technologies IPB035N08N3 Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - テスト 8110pF @ 40V
電圧 - ブレークダウン PG-TO263-2
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（最大） 6V, 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ OptiMOS™
RoHSステータス Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100A (Tc)
偏光 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 IPB035N08N3 G-ND
IPB035N08N3G
IPB035N08N3GATMA1
SP000457588
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks
製造元の部品番号 IPB035N08N3 G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 117nC @ 10V
IGBTタイプ ±20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 3.5V @ 155µA
FET特長 N-Channel
拡張された説明 N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
ソース電圧（VDSS）にドレイン -
説明 MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80V
静電容量比 214W (Tc)

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